1 Einleitung
Die neuen Wire-Bonder der Firma tpt führen regelmäßig zu einer Beschädigung der isolierenden SiO2-Schicht von Proben auf Si/SiO2. Durch Anlegen einer Spannung an das Backgate kann es durch diese Beschädigung zu einem Durchschlag Backgate-Spannung (Gate-Durchbruch) kommen. Der Einfluss des Bondens mit dem tpt Aluminium-Bonder auf die Wahrscheinlichkeit eines Gate-Durchbruchs wurde in meiner Bachelorarbeit untersucht. Für eine genaue Untersuchung des Verhaltens am tpt Gold-Bonder blieb jedoch keine Zeit.
Abbildung 1.1: Gate-Druchbruch an einem Al/Au-Bond aus meiner Bachelorarbeit (tpt Al-Bonder).
Ziel dieser Arbeit ist es daher festzustellen, ob das Bonden mit dem tpt Gold-Bonder zu Gate-Durchbrüchen führen kann. Dabei ist der Einfluss der wesentlichen Bondparameter auf die Wahrscheinlichkeit eines Gate-Durchbruchs von besonderem Interesse.